1, 將一個或多個存儲單元或者寄放器置成預先規(guī)定的狀態(tài)，通常置成零狀態(tài)。

2, 存儲容量和性能：通過根據需要動態(tài)地添加存儲單元來實現(xiàn)。

3, 量子計算機存儲單元的相干脫散，破壞量子態(tài)中的信息，是量子計算機難以實現(xiàn)的主要原因之一。

4, 你可以借助于壓縮十進制數字的方法來節(jié)省大量的存儲單元.

5, 分析了影響這種SRAM存儲單元工作特性的各種因素，包括對其中的反相器、壓控電阻和傳輸門管的研究。

6, 存儲器采用六管CMOS存儲單元、鎖存器型敏感放大器和高速譯碼電路，以期達到最快的存取時間。

7, 觸發(fā)器是構成時序邏輯電路的存儲單元和核心部件.

8, 在某些系統(tǒng)中,任何一個離散的存儲單元,如字節(jié)、字、數據塊、存儲桶、磁盤圓柱、磁道扇區(qū)等.

9, 某些非晶體存儲器中的一個存儲單元.

10, 通過在峰值存儲單元中引入零點及在峰值檢測電路中引入前饋，實現(xiàn)了對自動增益控制環(huán)阻尼特性的調整。

11, 對第一代開關電流存儲單元產生的時鐘饋通誤差做了合理的近似分析，設計了一種高性能開關電流存儲單元。

12, 在具有微程序控制的指令集的微型計算機中，它包含另外的控制存儲單元。

13, 由此可見,加數和被加數都應足夠小,以便能夠適合地裝入一個存儲單元.

14, 3D閃存是下一代閃存技術,相對于2D閃存技術,3D閃存把存儲單元垂直疊加,可大幅提高存儲器容量,但對制造工藝要求更高。